IPD053N06N datasheet
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>> IPD053N06N MOSFET 60V TO-252 datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
IPD053N06N
库存数量:
可订货
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET 60V TO-252
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 60V TO-252
IPD053N06N PDF下载
制造商
Infineon Technologies
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
60 V
闸/源击穿电压
20 V
漏极连续电流
45 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
5.3 mOhms
配置
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252
封装
相关资料
属性
链接
代理商
IPD053N06N
IPD053N06N3
IPD053N06N3 G
IPD053N06N3G
IPD053N08N3
IPD053N08N3 G
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IPD053N06N 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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